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科学网【整理自好友lpf文章】用VASP计算能量态密

2018-08-08 11:51编辑:igtpro.com人气:


一、VASP计算态密度

使用的软件:VASP

辅助分析计算的小程序read_dos.f90

操作流程及主要步骤

主要分两步:一、静态自洽计算;二、非自洽计算(以fcc结构的Al为例)

静态自洽计算(得到自洽的电荷密度CHGCHGCAR和E-fermi,提供给下一步非自洽计算用

准备INCAR:即定义PRECEDIFFENCUTISTART= 0(默认),IBRION = 2ISMEAR(对于半导体和绝缘体:ISMEAR= 0SIGMA = 0.05ISMEAR= 0 表示采用Gaussian smearing 方法对于金属:ISMEAR= 1,SIGMA = 0.2;ISMEAR= 1 表示采用1smearing方法)

                   SYSTEM=Al-fcc

                   PREC=Accurate

                   EDIFF= 1e-5

                   ENCUT= 250.0

                   ISTART= 0 IBRION = 2  #【默认NSW=0, pk10,此处定义IBRION=2无意义】

           ISMEAR= 1 ; SIGMA = 0.2

准备好POSCAR文件,或以优化的晶格参数作为基础,把结构优化产生的CONTCAR拷贝成POSCAR

                   Al

                     3.975

                          0.0 0.5 0.5

                          0.5 0.0 0.5

                          0.5 0.5 0.0

                      1

                 Direct

                         0.0   0.0  0.0

POTCAR直接从赝势库中得到

KPOINTS

                Automatic generation

                0

               MohkorstPack

                  9    9    9  

                  0.0  0.0 0.0

提交运行

记下OUTCAR中E-fermi的数值,下一步处理结果时会用到。

              grepE-fermiOUTCAR

非自洽计算

 

准备INCAR:即定义ENCUT,PREC,ISTART= 1(存在WAVECAR文件,所以取1),ICHARG = 11表示从CHGCAR中读入电荷分布,并且在计算中保持不变,ISMEAR= -5 ( -5表示带Bloch修正的四面体方法;采用 tetrahedron method with Bl¨ochl corrections计算DOS更准确一些,在PWscf中也是如此) ,RWIGS (或LORBIT = 10,这时可不设RWIGS)

SYSTEM = Al-fcc

PREC = Accurate

ENCUT = 250              #【截断能不能大于上一步非自洽计算?最好与上一步计算保持一致】        

ISTART = 1ICHARG = 11

ISMEAR = -5

     LORBIT = 10

(来源:新浪体育网)

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